８）SiC，GaNといった新しいパワーデバイスについて特徴と適用例などを教えてください

物性的な違いにより，大きく以下の特徴があります。

1. 高温で動作できる：半導体の動作温度があがり，厳しい環境下で使えるようになります。
2. 損失が減る：ウエハを薄くでき導通抵抗を減らせます。これにより変換機が高効率になります。
3. 高周波で動く：スイッチング周波数を上げることができ，受動部品(インダクタやキャパシタ)の小型化ができます。

これらはSiC，GaN共通ですが，それぞれの素子構造の差により，一般的に下記の適用エリアに住み分けされています。

SiC：大電流・高電圧向き。電車や自動車等の大型モータドライブへの採用が進んでいます。
GaN：高周波動作向き。スイッチング電源への採用が進んでいます。